فرمول داغ نشدن پردازنده اگزینوس توسط سامسونگ کشف شد

پردازنده اگزینوس 2400 یک پردازنده پرچمدار قابل احترام است، اگرچه ما متوجه شدیم که کمی داغتر از Snapdragon 8 Gen 3 می باشد. اکنون، به نظر می رسد سامسونگ یک راه حل خنک کننده جدید کشف کرده که موجب بهبود عملکرد چیپ های اگزینوس آینده می شود.

Elec گزارش می دهد که سامسونگ در حال کار بر روی یک فناوری جدید تراشه به نام fan-out wafer-level package-HPB (FOWLP-HPB) است. این فناوری شامل اتصال نوعی هیت سینک به نام بلوک مسیر حرارتی (HPB) به بالای چیپست است.

این رسانه گزارش می دهد که این فناوری هیت سینک از رایانه های شخصی و سرورها مشتق شده و انتظار می رود در پردازنده های آینده اگزینوس استفاده شود. وب سایت اضافه کرد که این فناوری در حال حاضر تنها به گوشی های هوشمند به دلیل شکل کوچکتر آن ها وارد می شود، که نشان می دهد کوچک سازی این فناوری یک چالش است.

اعتقاد بر این بوده که توسعه این فناوری تا سه ماهه چهارم سال 2024 تکمیل می شود و پس از آن درها را برای تولید انبوه باز می کند. این جدول زمانی نشان می‌دهد که اگزینوس 2500 که انتظار می‌رود در برخی از مدل‌های گلکسی S25 استفاده شود، می‌تواند به این فناوری خنک‌کننده مجهز شود، مشروط بر اینکه توسعه در اوایل سه‌ماهه چهارم به پایان برسد.

چیپ Exynos 2400 در آزمایش خود کمی داغتر از Snapdragon 8 Gen 3 بود. در همین حال، Exynos 2200 سال  2022 حتی بدتر از این هم عمل کرد و مشکلات بزرگی داشت. بنابراین، اگر این فناوری به تراشه‌های اگزینوس آینده کمک کرده و اگر مطابق با هدف کار کند، راه را برای عملکرد ثابت‌تر، عمر باتری بهتر و گوشی‌های خنک‌تر باز می‌کند.